技术编号：6761158
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁阻效应元件、磁存储器以及磁头。背景技术 使用磁性体膜的磁阻效应元件已被用于磁头、磁传感器等中，同时提出了将其用于固体磁存储器中。特别是作为能高速读写、容量大、低功耗工作的下一代的固体非易失性存储器，提高了对利用强磁性体的磁阻效应的磁随机存取存储器(以下称MRAM)的关心程度。近年来，作为具有在两个强磁性金属层之间插入一层电介质的夹层结构、使电流垂直于膜面流过、利用隧道电流的磁阻效应元件，提出了所谓的“强磁性隧道结元件(TMR元件)”。在强磁性隧...
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