技术编号：6761573
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种只读型域扩展存储介质和一种用于处理这种介质的基底的处理方案，在这种介质中磁壁被移位由此扩大磁畴以便再现由磁畴表示的信息。在磁光存储系统中，通过衍射极限，也就是通过聚焦透镜的数值孔径(NA)和激光波长来确定记录标记的最小宽度。通常可基于较短的激光波长和较高的NA聚焦光学系统来减小所述宽度。写非常小的磁区的能力对于增加磁光(MO)介质的面存储密度是重要的。域扩展介质典型的包括聚碳酸酯基底、反射热传导层、第一电介质层、硬磁例如TbFeCo存储层，其...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术无源代码，用于学习原理，如您想要源代码请勿下载。