技术编号:6761590
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种磁畴扩展数据存储介质及该介质的制造方法,其中在一个磁数据存储层中的磁畴被复制到一个磁读出层,在此之后,该读出层中的复制磁畴(copied domain)的畴壁被取代,从而使所述的复制磁畴放大,以便再现由数据存储层中的磁畴表示的信息。在目前的磁光存储系统中,衍射极限,即聚焦透镜的数值孔径(NA)和激光波长,决定了记录标记的最小宽度。该宽度的减小通常基于更短波长的激光器和更高NA的聚焦光学系统。在磁光(MO)介质中,写微小磁畴的能力时于提高面存储...
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