技术编号:6762376
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种存储器装置,且特别是有关于一种用于预烧测试的存储器装置以及一种于晶片阶段,在动态随机存取存储器(DRAM)中检测出瑕疵存储器的方法。背景技术一般而言,预烧测试系对一半导体存储器进行测试以防止可靠度问题。更精确地说,是在存储器已经组装(assembled)或封装(packaged)完成之后。被检测出来的元件若是有瑕疵的话,无法以激光修复或重新组装(re-assembled)。因此,大量生产会非常昂贵。预烧测试通常在高压以及高温之下进行,半导...
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