磁阻式随机存取存储器电路的制作方法技术资料下载

技术编号:6762982

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本发明是有关于一种存储器电路,特别是有关于一种磁阻式随机存取存储器电路。背景技术 磁阻式随机存取存储器(Magnetic Random Access Memory,以下简称为MRAM)是一种金属磁性材料,其抗辐射性比半导体材料要高出许多,属于非挥发性存储器(Non-volatile Random Access Memory),当计算机断电、关机的时候,仍然可以保持记忆性。MRAM是利用磁电阻特性储存记录信息,具有低耗能、非挥发、以及永久的特性。其运作的基本...
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