技术编号：6764307
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。用于编程多级金属氧化物存储器单元的改进的方法平衡了施加的电压和电流以提供改进的性能。将存储器单元转变到较低电阻状态的设置编程通过确定对于在该编程中要达到的目标电阻状态的适当的编程电压和电流限制、然后施加具有确定的设置电特性的脉冲而完成。将存储器单元转变到较高电阻状态的复位编程通过确定对于在该编程中要达到的目标电阻状态的适当的编程电压和可选的电流限制、然后施加具有确定的电特性的脉冲而完成。用于确定适当的设置或复位编程电压和电流值的算法提供了有效的编程而不对存...
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