技术编号:6764567
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本文中所揭示的标的物涉及一种存储器装置,且更明确地说涉及相变存储器的读取性能。专利说明用以减少相变存储器的读取错误的读取偏置管理[0001]本文中所揭示的标的物涉及一种存储器装置,且更明确地说涉及相变存储器的读取性能。背景技术[0002]相变存储器(PCM)可至少部分地基于一或多种特定相变材料(例如硫属化合物合金及/或碲化锗锑(GST),仅举几个实例)的行为及性质操作。此类材料的结晶及非晶状态可具有不同的电阻率,因此呈现可借以存储信息的基础。此类材料的非晶...
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