技术编号:6764660
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种半导体集成电路包括具有PMOS电晶体和第一比较器的第一内部电压产生器、具有NMOS电晶体和第二比较器的第二内部电压产生器以及提供一泵浦功率电压给第二比较器的电压泵浦产生器。功率控制电路可切换地于启动半导体集成电路时致能第一内部电压产生器的输出,以及于启动半导体集成电路后致能第二内部电压产生器的输出。本发明提供的一种,通过降低工作供应电压能够使功率消耗降低。专利说明[0001]本发明是有关于一种集成电路,特别是有关于在集成电路内产生内部电压的电路。背景技...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。