技术编号:6765142
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种N-沟道可多次编程存储器器件,具有N-导电类型衬底;第一和第二P-导电类型阱,位于所述N-导电类型衬底中;N-导电类型源极和漏极区域,形成在第一P-导电类型阱中,所述源极和漏极区域由沟道区沟道区域间隔开;氧化物层,位于所述N-导电类型衬底之上;以及浮置栅极,在所述沟道区域之上且在所述N-导电类型衬底中的第二P-导电类型阱之上延伸,所述可多次编程存储器单元能够通过热电子注入来进行编程并且能够通过热空穴注入来进行擦除。专利说明N-沟道可多次编程存储器器件[...
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