技术编号:6765181
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种抗总剂量效应存储单元电路,全部由PMOS管构成,包括第一、第二PMOS管,第三、第四PMOS管和第五、第六PMOS管;第一、第二PMOS管为上拉管,第三、第四PMOS管为读出访问管,第五、第六PMOS管为写入访问管。本发明的抗总剂量效应存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固,具有较小的存储单元面积,可用于抗辐射航空航天及嵌入式存储器等领域。专利说明抗总剂量效应存储单元电路[0001]本发明涉及一种存储单元电路,更具体地,涉及一种抗总剂量效应...
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