技术编号:6766235
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于编程或擦除非易失性存储器的存储器基元的方法,包括第一擦除或编程循环,其包括i)施加(S11)至少一个擦除或编程脉冲(Np)到第一存储器基元;ii)确定(S14)所述存储器基元的状态擦除的或编程的,以及如果存储器基元不在想要的状态,重复步骤i)和ii),以及第二擦除或编程循环,包括施加预定数量的擦除或编程脉冲到第二存储器基元。专利说明 [0001] 本发明涉及一种擦除或编程非易失性存储器的存储器基元的方法,并涉及这样的 非易失性存储器...
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