技术编号:6766295
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请公开了一种写极箱屏蔽结构。一种磁性元件可通常配置为至少构造有在箱屏蔽结构之中的写极,箱屏蔽结构由第一和第二侧屏蔽结构和第一和第二垂直屏蔽结构组成。写极可通过由不同材料的至少两个间隙层组成的多层间隙结构与箱屏蔽结构间隔。专利说明写极箱屏蔽结构发明内容[0001]各个实施例一般涉及能够用于高数据位密度数据存储环境的磁性元件。[0002]根据各个实施例,写极可在由第一和第二侧屏蔽结构和第一和第二垂直屏蔽结构组成的箱屏蔽结构内构造。写极可通过由不同材料的至少...
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