技术编号:6766369
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种,抑制存储器单元的绝缘膜的劣化。本发明的闪存存储器的编程方法中,使包含经编程的编程单元的单元组与位线BL电性分离,且使未包含编程单元的单元组电性耦合于位线BL,对所选择的字线施加编程电压,且对非选择的字线施加非选电压。而且,在施加编程电压的期间,使P井内产生载子,并将通过耗尽区域而进行电场加速的热载子注入至存储器单元。专利说明 [0001]本发明涉及一种半导体存储装置,特别是涉及一种NAND型闪存存储器(flashmemory)的编程方...
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