技术编号:6766445
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种。所述包括对第一存储位进行读取操作时,施加第一读取电压至中间电极,施加第二读取电压至第一控制栅极,施加第三读取电压至第二控制栅极和第一位线电极,将第二位线电极与读取电路连接;对第二存储位进行读取操作时,施加第一读取电压至中间电极,施加第二读取电压至第二控制栅极,施加第三读取电压至第一控制栅极和第二位线电极,将第一位线电极与读取电路连接。本发明提供的,提高了所述闪存单元的耐久性。专利说明[0001]本发明涉及存储器,特别涉及一种。背景技术[0002]闪存...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。