技术编号：6766459
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种三态10管SRAM存储单元电路设计，在传统8管SRAM存储单元电路中插入一个放电NMOS晶体管ND和一个保存数据NMOS晶体管NR，通过控制信号Dead和Drowsy的状态使电路具有三种不同的工作模式，从而有效地降低存储单元的泄漏功耗；本发明有效地解决了SRAM存储单元较高的泄漏功耗问题，降低了SRAM存储单元在空闲状态下电路中存在的泄漏功耗。专利说明—种三态10管SRAM存储单元电路设计[0001]本发明涉及一种SRAM存储单元，属于电路设...
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