技术编号:6766766
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种基于DICE结构的改进SRAM存储单元,该单元包括以下结构4个反相器结构,所述反相器结构由PMOS管和NMOS管串联形成,PMOS管漏极和NMOS管漏极之间作为存储节点,每个存储节点控制其它反相器结构的一个NMOS管和另一个反相器结构的一个PMOS管的栅电压;传输结构,由4个NMOS管构成,其源极、栅极和漏极分别接位线/反相位线、字线和存储节点。本发明通过采用改进后的基于DICE结构的SRAM存储单元,避免了传统六管单元结构静态噪声容限小,...
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