技术编号:6767052
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于二嵌段聚合物的超薄对准壁。根据本发明的一种方法包括提供具有厚壁阵列的预规则化衬底、在预规则化衬底上沉积共形层、从厚壁和壁之间的间隔的顶部蚀刻共形层,并蚀刻厚壁同时留下共形层的薄壁。专利说明用于二嵌段聚合物的超薄对准壁[0001]本申请是国际申请号为PCT/US2009/064448,国际申请日为2009年11月13日,进入中国国家阶段申请号为200980145649.X,发明名称为“用于二嵌段聚合物的超薄对准壁”的发明专利申请的分案申请。 ...
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