技术编号:6767282
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种十管抗瞬态效应SRAM存储单元,该单元包括以下结构反相器结构,包括第一反相器结构、第二反相器结构、第三反相器结构、第四反相器结构,其中反相器结构由PMOS管和NMOS管串联形成,每个反相器的PMOS管和NMOS管之间作为存储节点,其中所有正存储节点连在一起,所有负存储节点连在一起;传输结构,由2个NMOS管构成。本发明通过在传统六管单元结构的基础上增加4个晶体管,并将相应的存储节点连在一起,解决了传统六管单元结构静态噪声容限小的缺陷,本发明...
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