技术编号:6767303
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是一种自适应的字线电压调节型SRAM结构,主要包括存储阵列SRAM模块、非易失性存储器NVM(NonvolatileMemory,NVM)模块、以及用于抬高读操作时字线WL的电压值的WLboost电路模块,所述SRAM模块分成多个用于存储数据的Sub-block子块,每个Sub-block子块上分别设有一个WLboost电路模块,所有的Sub-block子块共用一个NVM模块,每个Sub-block子块分别与存储在NVM模块中的一段代码对应,所述WL...
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