技术编号:6767389
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型提供一种具有读取自参考功能的2-1T1R?RRAM存储单元,该存储单元由两个传统的RRAM1T1R存储单元组成,一个为主存储单元,另外一个为参考存储单元。写操作时,将两个1T1R存储单元分别写入两个相反的状态,主存储单元写入‘1’,参考存储单元写入‘0’,则2-1T1R存储的值为‘1’;或者主存储单元写入‘0’,参考存储单元写入‘1’,则2-1T1R存储的值为‘0’;读操作时,参考存储单元作为产生主存储单元读取参考电流的参考单元。与传统的存储阵列...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。