技术编号:6767993
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体来说涉及一种包括多个垂直磁畴的磁性隧道结单元。 背景技术一般来说,便携型计算装置及无线通信装置的普遍采用增加了对高密度且低功 率的非易失性存储器的需求。由于加工技术已得到改善,所以有可能制造基于磁性隧道 结(MTJ)装置的磁阻式随机存取存储器(MRAM)。传统的自旋力矩隧道(STT)结装置通 常形成为扁平堆叠结构。所述装置通常具有具单个磁畴的二维磁性隧道结(MTJ)单元。 MTJ单元通常包括固定磁性层、势垒层(即,隧穿氧化物势垒层,MgO、Al2...
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