技术编号：6768283
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体来说是针对一种存储器装置，其包括放大器及包括基于电阻的存储器 元件的存储器单元。背景技术非易失性存储器技术的进步包括基于电阻的存储器技术，例如磁性随机存取存储 器(MRAM)。MRAM技术为采用以铁磁为基础的磁性隧道结(MTJ)作为基础存储器元件的新兴 非易失性存储器技术。MRAM的常用阵列架构为一个晶体管、一个MTJ(ITIMTJ)的架构。顾 名思义，此架构中的每一位单元由与NMOS存取晶体管串联连接的MTJ组成。为利用增加的 密度及与按比例缩...
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