具有升压阵列电压的集成电路及其方法技术资料下载

技术编号:6768290

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本公开大体上涉及集成电路,更具体地涉及。背景技术在要求高速的应用中,诸如数据处理系统中的存储器中,通常使用静态随机存取存储器(SRAM)。每个SRAM单元存储一位数据,且被实现为一对交叉耦合倒相器。SRAM单元仅在两种可能电压电平中的一个时是稳定的。单元的逻辑状态由两个倒相器输出中任何一个处于逻辑高来确定,并且可以通过向适当的单元输入施加足够幅值和持续时间的电压来改变状态。SRAM单元的稳定性是重要问题。SRAM单元必须针对瞬时现象、工艺偏差 (proce...
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