技术编号：6768352
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及随机存取存储器(RAM)。更明确地说，本发明的实施例涉及自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)中的字线电压控制。背景技术随机存取存储器(RAM)是现代数字架构的普遍存在的组件。RAM可为独立装置或可集成或嵌入于使用RAM的装置(例如，微处理器、微控制器、专用集成电路(ASIC)、芯片上系统(SoC)以及如所属领域的技术人员将了解的其它类似装置)内。RAM可为易失性或非易失性的。无论何时移除电力，易失性RAM均会失去其所存储的信...
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