技术编号:6768383
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性存储器技术。 背景技术半导体存储器由于用于各种电子设备中而变得更为流行。例如,非易失性半导体存储器用于个人导航设备、蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算设备和其它设备中。电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和闪速存储器是其中最流行的非易失性半导体存储器。EEPROM和闪速存储器两者皆利用位于半导体衬底中的沟道区域之上并与之隔离的浮置栅极。该浮置栅极和沟道区域位于源区与漏区之间。控制栅极设在浮置栅极之上且与之隔离。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
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