技术编号:6768414
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有双重自旋转矩基准层的磁性随机存取存储器背景技术磁性随机存取存储器(MRAM)或自旋转矩RAM(STRAM)是一种非易失固态数据存储技术,这种技术具有远大的前途,但在获得有竞争力的存储密度级方面提出挑战。提供以上讨论仅用作一般的背景信息,并且不旨在用来帮助确定所要求保护的主题的范 围。舰披露了可适用于自旋转矩随机存取存储器(ST-RAM)的磁性数据存储单元。磁性单元包括第一和第二固定磁性层以及位于这两个固定磁性层之间的自由磁性层。磁性单元还包括配置成提供...
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