技术编号：6768417
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明通常涉及磁随机存取存储器装置，并且更特别地，涉及基于自旋转移的 (spin-transfer based) MRAM背景技术磁随机存取存储器(MRAM)是一种非易失性存储器技术，与使用电荷来存储数据的较老式的RAM技术相反，其利用磁化来表示存储的数据。MRAM的一个主要益处是其在不存在电的情况下保持所存储的数据，即，其是非易失性存储器。通常，MRAM包括形成在半导体基板上的大量的磁单元，其中每一个单元表示一个数据比特。通过改变单元内磁性元件的磁化方向...
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