技术编号:6768612
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种其中多个存储单元以特定的形式排列的非易失性半导体存储装置和一种在该装置上执行校验写入操作的方法。背景技术存在为了增加向例如NOR型非易失性半导体存储(闪存)装置写入的速度,用于提高同时编程的位数的方法(诸如在日本专利特开第2007-242191号(下文中称为专利文 件1)中公开的方法)。该类型的方法旨在通过在编程校验读取操作中同时校验-读取众多 的位来实现提高的写入速度。这样的用于更快速编程的技术不限于现有的非易失性存储装置;它们也可以被广泛...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
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