技术编号：6768971
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路器件，更具体地，涉及其中具有电阻型存储单元的非易失性存储器。背景技术通常，电阻随机存取存储器(ReRAM)是利用电阻特性随着所施加电压而改变的原 理的一种非易失性存储器。ReRAM是一种存储器，其根据电阻可变特性而利用由于所施加电 压大小而导致的电流的开/关状态。这些ReRAM具有各种优点相对快的存取时间、低功耗 以及由于简单的存储单元结构带来的工艺故障的降低。如图IA所示，ReRAM的一个示例在由Herner等人提出的名称为“NONVO...
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