技术编号:6768978
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子半导体,具体涉及一种减小阻变存储器电阻转变过程 中阻值离散性的方法。背景技术阻变存储器(RRAM)是一种利用可控的电阻变化实现数据存储的新型非挥发性存 储器。这种存储器具有高速度(< 5ns)、低电压(< 2V)、高存储密度、易于集成等优点,是 下一代半导体存储器的强有力竞争者。阻变存储器的工作原理是在阻变材料两端施加大小 或者极性不同的电压,控制阻变材料的电阻值在高低电阻态之间转换。阻变存储器的工作 方式包括单极和双极两种,前...
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