技术编号:6770671
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本文的公开涉及数据存储技术。背景技术编程和擦除操作在闪存和其它浮动栅内存的氧化物绝缘体和电荷捕获层中产生累积的缺陷,限制了这类产品的使用寿命且使它们显现为极不适于需要频繁、不受限制的写操作的应用。已经证实通过将浮动栅内存单元加热至高于常规操作范围但是低于容许的最大值的温度,可从氧化物和电子捕获层移出以其它方式永久捕获的载子,实际上,使缺陷退火并且改进了寿命。附图简述在附图的图示中,本文的公开是以实例的方式且不是限制性的方式来图解说明, 且其中相同参考符号指...
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