跟踪位单元特性的sram延迟电路的制作方法技术资料下载

技术编号:6770684

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本公开涉及SRAM设备,尤其涉及用于生成跟踪位单元特性并独立于任何非单元设备的延迟的SRAM电路。背景技术SRAM (静态随机存取存储器)设备一般用于静态存储器存储。每个位通常都存储在具有四个晶体管的SRAM存储单元中。两个附加的存取晶体管用于在读和写操作过程中控制对存储单元的存取。对单元的存取是由控制两个存取晶体管的字线来使能的,这两个存取晶体管又控制所述单元是否应当连接到用于传输用于读和写操作的数据的位线。在实现SRAM中必须处理的一个挑战是解决在(I...
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