技术编号:6770819
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术,特别涉及一种。背景技术常用的非挥发性快闪存储器包括浮栅存储器、SONOS (Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)存储器、纳米晶体存储器等。非挥发性快闪存储器单元的器件结构与普通CMOS器件结构类似,唯一的不同是CMOS结构中栅极和衬底之间的氧化物变成了绝缘层-电荷俘获层-绝缘层的叠层结构,通过对该叠层结构中间的电荷俘获层中注入或者擦除电荷达到存储信息的目的。在非挥发性单管存储器阵列中,如图1所示,存...
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