技术编号:6771495
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种反或(NOR)型闪存装置的自我测试方法、系统及计算机可读取储存媒体,更特别的是关于一种反或型闪存装置的字线内部漏电的自我检测方法、系统及计算机可读取储存媒体。背景技术随着半导体工艺技术的持续发展,半导体内存内组件的集成度也日渐提升,于工艺中所产生的极微小缺陷就会成为影响内存故障与否的关键。近年来,用来检测内存的故障检测,已成为工艺中的不可或缺的标准步骤。 请参阅图1,是反或型闪存中字线发生漏电的漏电路径示意图。图I中,存储单元数组3具有多个...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。