技术编号:6771733
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明具备包含有隧道磁阻元件的存 储单元的薄膜磁性体存储器 [发明的领域]本发明涉及薄膜磁性体存储器,更特定地涉及具备包含有磁隧道结(MTJ)的存储单元的可随机存取的薄膜磁性体存储器。作为能够以低功耗存储非易失性数据的的存储器,MARM(磁随机存取存储器)器件引人注目。MARM器件是使用在半导体集成电路中形成的多个薄膜磁性体,进行非易失性的数据存储,并且能够对于薄膜磁性体的每一个随机存取的存储器。特别是,发表了近年来通过把利用了磁隧道结(MTJ)的隧道磁...
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