技术编号:6771825
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路设计领域,尤其涉及一种。 背景技术现有的半导体存储器在数据读取时,通常采用感应放大器来检测存储单元上的位线电流与基准电流的差值,从而判断存储单元内的存储数据为“0”或“1”位元。如图1所示,传统的感应放大器主要包含MOS管M2、M3、M5及M6。其中,M3与存储单元M4相匹配,可将M4上输出电流Ieell镜像到M3上的输出电流,即Ieell = Im3 ;M2与Ml相匹配,可将Ml上输出电流Iref镜像到M2上的输出电流,即Iref = ...
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