技术编号:6771910
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及。该可变电阻存储器件采用了每一个均包括存储元件和串联连接至存储元件的存取晶体管的存储单元。存储元件具有根据施加至存储元件的电压而变化的电阻。背景技术已知这样的可变电阻存储器件其具有根据在通过绝缘层(其用作可变电阻存储器件的存储层)彼此分离的电极之间施加的电压而变化的电阻。诸如“!(.Tsimoda 等人的'Low Power and High Speed Switching of Ti-doped NiO ReRAM under the Unip...
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