技术编号：6771911
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体元件，且特别是有关于一种高密度的三维存储器阵列。背景技术电子元件的进步增加了对更大存储能力的需要。为了增加存储能力，存储器元件变得更小且更紧密。因此，高密度的三维存储器阵列已受到业界的高度关注。图I为公知的三维交叉点(cross point)存储器阵列的立体示意图。公知的三维交叉点存储器阵列10包括多条以第一方向排列的第一电极12、多条以第二方向排列的第二电极16以及多个第一存储器构件14,其中第二方向垂直于第一方向。第二电极16配...
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