技术编号:6772012
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种位线预先充电方式的半导体只读存储器的技术。在同一图中,构成预先充电电路的预充电晶体管Tr810~Tr8n0通过预先充电信号800的控制,对位线B810~B8n0预先充电。字线W801~W80m分别与构成晶体管列的NchMOS晶体管Tr811~Tr8nm的栅极相连。(更具体而言,例如字线W801与NchMOS晶体管Tr811~Tr8n1的栅极相连,字线W802与NchMOS晶体管Tr812~Tr8n2的栅极相连,字线W80m与NchMOS晶体管...
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