技术编号:6772103
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关于金属氧化物存储器装置,及操作此金属氧化物存储器装置的方法。 背景技术施加适合于集成电路中执行的电平的电子脉冲,可导致金属氧化物在两个或更多合适的范围内改变电阻。因为金属氧化物简单的结构、与标准互补金属氧化物半导体 (CMOS)工艺的兼容性、高速率、低功率消耗,以及具有3D叠层的潜力,使得金属氧化物在电阻式随机存取存储器(resistive random access memory,RRAM)装置的应用方面受到了关注。以氧化钨WOx为基底的RRA...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。