技术编号：6772504
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有基准电位的一种集成存储器以及一种这样的存储器用的一种运行方法。在US5,844,832A和US5,822,237A中说明了1-晶体管/1-电容器类型的，FRAM类型的或FeRAM(铁电的随机存取存储器)的铁电存储器。这样的存储器是类似于DRAM(动态随机存取存储器)构造的，它们的存储电容器都具有铁电的电介层。它们的位线是成对地与微分读数放大器连接的。在读出访问时经位线对的位线之一将日期从存储单元之一向读数放大器传输，而在位线对的另外的位线上生...
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