技术编号:6772675
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有高GMR值的CCP-CPP磁阻读取器背景技术已经开发出用于高密度数据存储应用的巨磁阻(GMR)和隧道磁阻(TMR)器件。GMR 和TMR器件二者均以在两个铁磁层之间包括非磁性间隔层的多层读取器叠层为特征。通 常,铁磁层之一用作具有固定磁化强度的基准或被钉扎层,而称为自由层的另一铁磁层具 有响应于外部磁场而旋转的磁化强度。在GMR器件中,非磁性间隔层是导电的。在TMR器 件中,该间隔层是在自由层与基准层之间形成隧道势垒的非常薄的电绝缘层。利用氧化镁(Mg...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。