技术编号:6772790
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别是一种逐渐提高控制闸极电压以行擦除后处理之。擦除处理则是将浮动闸极内捕获的电子加以释放,主要是通过Flowler-Nordheim隧道效应(F-N tunneling effect)来实现,也就是在控制闸极上施加一很大的负电压,通过介电质层的耦合作用,使浮动闸极内的电子得以隧道效应方式穿过氧化层,通过下方通道或是源极加以释放。然而,闪存单元在擦除后常会有所谓过度擦除(over-erase)的问题,也就是在擦除处理中过度执行,反而让存储单...
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