技术编号：6773045
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于存储装置的感测电路，特别是关于如此装置的源极端感测电路。 背景技术现今存在许多利用电荷储存存储单元型态的非挥发存储器，包括存储单元储存电 荷于一场效应晶体管的通道与栅极之间。所储存的电荷数量影响了晶体管的临界电压，其 可以被感测以指示资料。一种型态的电荷储存存储单元被称为浮动栅极存储单元。在浮动栅极存储单元 中，电荷被储存在一电性导电层介于场效应晶体管的通道与栅极之间。临界电压的改变由 施加一合适的电压于此存储单元自此电性导电层储存或移除电荷。...
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