技术编号:6773046
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,特别涉及能改进闪速电可擦写存储器温度效应的钳位电路及其对应闪速电可擦写存储器。背景技术在当前的闪速电可擦写存储器(Flash EEPR0M)的电源电路中,由电荷泵所提供的电压(Vep)被用于存储单元的写入和擦除。Flash EEPROM的工作温度范围是-40 125°C, 在-40 125°C工作温度范围内,存储单元的安全工作电压是15. 5 16. 5V,若实际的工作电压超过安全工作电压的范围会造成存储单元中的NMOS管被击穿或造成...
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