技术编号:6773148
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种相变存储器电路结构,特别涉及一种能抑制位线间漏电流的相变存储器电路结构。背景技术相变存储器技术是基于Ovshinsky在20世纪60年代末70年代初提出的相变薄 膜可以应用于相变存储介质的构想建立起来的,是一种价格便宜、性能稳定的存储器件。相 变存储器可以做在硅晶片衬底上,其关键材料是可记录的相变薄膜、加热电极材料、绝热材 料和引出电极材的研究热点也就围绕其器件工艺展开器件的物理机制研究包括如何减小 器件料等。相变存储器的基本原理是利用电脉冲...
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