技术编号:6773210
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储器,尤其涉及。 背景技术读取干扰是例如浮动栅极和电荷捕捉存储单元等非易失存储单元操作中的一个严重问题。读取干扰会在非易失存储单元进行读取操作时发生;虽然是施加读取偏压而不是编程偏压,某种程度的编程仍会在施加一读取偏压时发生。在经过许多次读取操作之后, 读取干扰会提升此受影响的非易失存储单元的阈值电压。读取干扰会因为读取偏压配置Vpass足够高可以导致编程而发生于与非门串行中。在一串联安排的非易失存储单元的与非门串行中,读取电压Vread被施加...
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