将相变存储器并入cmos工艺的非易失性sram单元的制作方法技术资料下载

技术编号:6773226

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将相变存储器并入CMOS工艺的非易失性SRAM单元背景技术对增加功能和减少整体系统成本的需求给消费类电子设备设置了系统限制。易失 性和非易失性存储器已经在诸如汽车导航系统、智能电话、数码相机、PDA和MP3播放器以 及无数的其他便携应用之类的消费类设备中使用。新的非易失性技术正计划用于在数码消 费类设备中的越来越多的功能。这些新的非易失性存储具有在这些消费类设备中提供改进 性能的特性。发明内容本发明提供了一种存储单元,该存储单元包括静态随机存取存储器单元,...
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