技术编号:6773349
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明嵌入式硬件设计领域、存储节能设计领域,特别涉及一种用于DRAM缓存的 纠错编码方法。背景技术目前,先进的技术使得大的嵌入式DRAM缓存集成在片上成为可能,比传统的SRAM 更密集,但是必须及时刷新电路以保证数据完整,且DRAM易受设备材料的影响,对刷新周 期起决定性作用,刷新所需要的功耗点整个系统能耗的绝大部分,所以大的DRAM集成带来 了刷新功耗增加的问题。嵌入式DRAM缓存集成度高,需要频繁地进行刷新,否则由于丢失电等情况极容易 导致一些存储单元...
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