技术编号:6773386
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的领域为半导体器件,更具体地,为包括多个存储器单元的存储器器件。更具体地,本发明涉及一种绝缘体上半导体(semiconductor on insulator, SeOI)衬底上的闪存型存储器单元,由具有浮动栅极的场效应晶体管FET形成。本发明还涉 及一种包括多个该类型的存储器单元的存储器阵列,以及一种控制该闪存存储器单元的方法。背景技术闪存型存储器单元的结构整体上与常规的MOSFET晶体管的结构相似,除了闪存 晶体管具有两个栅极而不是一个。顶栅极对应...
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